近紅外成像使您能夠?qū)θ庋蹮o(wú)法看到的電子元件進(jìn)行顯微鏡檢測(cè)。以下是近紅外成像在工業(yè)檢測(cè)中的一些強(qiáng)有力的方式：

1.檢查晶圓水平芯片級(jí)封裝（CSP）中的芯片損壞。

晶圓水平芯片級(jí)封裝是晶圓水平的集成電路封裝。使用顯微鏡的近紅外成像可用于對(duì)熱濕測(cè)試中出現(xiàn)的芯片損壞進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)。紅外顯微鏡能夠透過(guò)硅成像，因此您可以觀(guān)察到熔煉泄漏、銅線(xiàn)腐蝕、樹(shù)脂工件剝落以及其他問(wèn)題。

2.進(jìn)行倒裝芯片無(wú)損分析。

顧名思義，倒裝芯片是一種將芯片有效面積翻轉(zhuǎn)，直接安裝在基板、電路板或載體上的芯片封裝方法。一旦倒裝芯片被附著在工件上，就無(wú)法用可見(jiàn)光對(duì)芯片圖案進(jìn)行檢測(cè)。相比之下，紅外顯微鏡使您能夠透過(guò)硅對(duì)內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢查，不會(huì)對(duì)已安裝的芯片造成破壞。這也是確定應(yīng)進(jìn)行聚焦離子束（FIB）處理區(qū)域的有效方法。

3.判斷晶圓研磨量。

晶圓研磨是一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)步驟，目的是降低晶圓厚度。需通過(guò)研磨使設(shè)備變薄，因此對(duì)晶圓兩面進(jìn)行測(cè)量的需求也相應(yīng)增加。然而，要測(cè)量疊層晶圓兩面的研磨量非常困難。紅外顯微鏡系統(tǒng)可以透過(guò)材料進(jìn)行成像，在晶圓的正面和背面聚焦，使您能夠獲得大致距離。然后，您可以通過(guò)測(cè)量物鏡的Z軸移動(dòng)狀態(tài)來(lái)判斷研磨的程度。

4.判斷3D安裝配置中的芯片縫隙。

紅外顯微鏡還可以協(xié)助進(jìn)行硅縫隙管理。三維（3D）安裝配置中的芯片縫隙可以通過(guò)測(cè)量紅外光透過(guò)硅聚焦在芯片和中介層上時(shí)物鏡的移動(dòng)狀態(tài)來(lái)進(jìn)行無(wú)損判斷。這種方法也可用于微電子機(jī)械系統(tǒng)設(shè)備的測(cè)量和空心構(gòu)造。

5.對(duì)一系列高難度樣品進(jìn)行成像。

可使用較大的波長(zhǎng)的短波紅外（SWIR）成像（如1300-1500納米范圍）對(duì)難度更高的樣品進(jìn)行成像，例如微電子機(jī)械系統(tǒng)設(shè)備、重?fù)诫s硅樣品、表面粗糙的樣品、晶圓粘結(jié)和3D芯片堆棧。這種方法可以使用更敏感的成像系統(tǒng)，如砷化銦鎵（InGaAs）攝像頭。在反射光或透射光顯微鏡下，專(zhuān)用紅外物鏡、高功率照明和InGaAs攝像頭所帶來(lái)的信號(hào)優(yōu)勢(shì)，讓人們可以對(duì)難度更高的樣品進(jìn)行成像。